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MJE15034G中文资料

MJE15034G图片

MJE15034G外观图

  • 大小:74.1KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: Transistor; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:350V; Continuous Collector Current, Ic:4A; Power Dissipation, Pd:50mW; DC Current Gain Min (hfe):100; Package/Case:TO-220AB ;RoHS Compliant: Yes
  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):4A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):350V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 100mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大):-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):10 @ 2A,5V
  • 功率 - 最大:2W
  • 频率 - 转换:30MHz
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商设备封装:TO-220AB
  • 包装:管件
  • 其它名称:MJE15034GOS

MJE15034G供应商

更新时间:2022-12-31 22:56:50
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